3N206

Numero di parte del produttore
3N206
Produttore
Rochester Electronics, LLC
Pacchetto/scatola
-
Scheda dati
Scarica
Descrizione
N-CHANNEL POWER MOSFET
Azione:
Disponibile

Richiedi un preventivo (RFQ)

* E-mail:
* Nome della parte:
* Quantità (pz):
* Captcha:
loading...
Produttore :
Rochester Electronics, LLC
categoria di prodotto :
Transistori - JFET
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) :
3 mA @ 15 V
Current Drain (Id) - Max :
-
Drain to Source Voltage (Vdss) :
25 V
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
0.03pF @ 15V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-65°C ~ 175°C (TA)
Package / Case :
TO-206AF, TO-72-4 Metal Can
Power - Max :
360 mW
Product Status :
Active
Resistance - RDS(On) :
17 mOhms
Supplier Device Package :
TO-72
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) :
30 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id :
500 mV @ 20 µA
Schede tecniche
3N206

Prodotti correlati al produttore

  • Rochester Electronics, LLC
    LC706203 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    LC706161 - DIGITAL MEMS MIC ICS
  • Rochester Electronics, LLC
    OMNIDIRECTIONAL MICROPHONE WITH
  • Rochester Electronics, LLC
    RF HARDENED, ULTRALOW NOISE MICR
  • Rochester Electronics, LLC
    MIC MEMS ANALOG OMNI -38DB

Catalogo prodotti correlati