VS-GT100TP120N

Numero di parte del produttore
VS-GT100TP120N
Produttore
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Pacchetto/scatola
-
Scheda dati
Scarica
Descrizione
IGBT MOD 1200V 180A INT-A-PAK
Azione:
Disponibile

Richiedi un preventivo (RFQ)

* E-mail:
* Nome della parte:
* Quantità (pz):
* Captcha:
loading...
Produttore :
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
categoria di prodotto :
Transistor - IGBT - Moduli
Configuration :
Half Bridge
Current - Collector (Ic) (Max) :
180 A
Current - Collector Cutoff (Max) :
5 mA
IGBT Type :
Trench
Input :
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce :
12.8 nF @ 30 V
Mounting Type :
Chassis Mount
NTC Thermistor :
No
Operating Temperature :
175°C (TJ)
Package / Case :
INT-A-PAK (3 + 4)
Power - Max :
652 W
Product Status :
Obsolete
Supplier Device Package :
INT-A-Pak
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic :
2.35V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) :
1200 V
Schede tecniche
VS-GT100TP120N

Prodotti correlati al produttore

  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    TVS DIODE 5VWM 9.2VC DO214AC
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    TVS DIODE 5.5VWM 18VC CLP0603
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    TVS DIODE 5.5VWM 11VC CLP0603
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    TVS DIODE 1VWM 6.9VC SOD523
  • Vishay General Semiconductor - Diodes Division
    TVS DIODE 20VWM 32.4VC MICROSMP

Catalogo prodotti correlati