RQ3E100ATTB

Numero di parte del produttore
RQ3E100ATTB
Produttore
Rohm Semiconductor
Pacchetto/scatola
-
Scheda dati
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Descrizione
MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
Azione:
Disponibile

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Produttore :
Rohm Semiconductor
categoria di prodotto :
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
10A (Ta), 31A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
1900 pF @ 15 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
150°C (TJ)
Package / Case :
8-PowerVDFN
Power Dissipation (Max) :
2W (Ta)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
11.4mOhm @ 10A, 10V
Supplier Device Package :
8-HSMT (3.2x3)
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Schede tecniche
RQ3E100ATTB

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