RQ3E100ATTB
- Numero di parte del produttore
- RQ3E100ATTB
- Produttore
- Rohm Semiconductor
- Pacchetto/scatola
- -
- Scheda dati
- Scarica
- Descrizione
- MOSFET P-CH 30V 10A/31A 8HSMT
- Azione:
- Disponibile
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-
- Produttore :
- Rohm Semiconductor
- categoria di prodotto :
- Transistor - FET, MOSFET - Singoli
- Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
- 10A (Ta), 31A (Tc)
- Drain to Source Voltage (Vdss) :
- 30 V
- Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
- 4.5V, 10V
- FET Feature :
- -
- FET Type :
- P-Channel
- Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
- 42 nC @ 10 V
- Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
- 1900 pF @ 15 V
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature :
- 150°C (TJ)
- Package / Case :
- 8-PowerVDFN
- Power Dissipation (Max) :
- 2W (Ta)
- Product Status :
- Active
- Rds On (Max) @ Id, Vgs :
- 11.4mOhm @ 10A, 10V
- Supplier Device Package :
- 8-HSMT (3.2x3)
- Technology :
- MOSFET (Metal Oxide)
- Vgs (Max) :
- ±20V
- Vgs(th) (Max) @ Id :
- 2.5V @ 1mA
- Schede tecniche
- RQ3E100ATTB