G60N10T

Numero di parte del produttore
G60N10T
Produttore
Goford Semiconductor
Pacchetto/scatola
-
Scheda dati
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Descrizione
N100V,RD(MAX)<25M@10V,RD(MAX)<30
Azione:
Disponibile

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Produttore :
Goford Semiconductor
categoria di prodotto :
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
60A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
146 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
3970 pF @ 50 V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power Dissipation (Max) :
160W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
25mOhm @ 20A, 10V
Supplier Device Package :
TO-220
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Schede tecniche
G60N10T

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