G3035

Numero di parte del produttore
G3035
Produttore
Goford Semiconductor
Pacchetto/scatola
-
Scheda dati
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Descrizione
P30V,RD(MAX)<59M@-10V,RD(MAX)<75
Azione:
Disponibile

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Produttore :
Goford Semiconductor
categoria di prodotto :
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
4.6A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
4.5V, 10V
FET Feature :
-
FET Type :
P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
650 pF @ 15 V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power Dissipation (Max) :
1.4W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
59mOhm @ 4A, 10V
Supplier Device Package :
SOT-23-3
Technology :
MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max) :
±20V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Schede tecniche
G3035

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