TPH3206PSB

Numero di parte del produttore
TPH3206PSB
Produttore
Transphorm
Pacchetto/scatola
-
Scheda dati
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Descrizione
GANFET N-CH 650V 16A TO220AB
Azione:
Disponibile

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Produttore :
Transphorm
categoria di prodotto :
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) :
10V
FET Feature :
-
FET Type :
N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
6.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
720 pF @ 480 V
Mounting Type :
Through Hole
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
TO-220-3
Power Dissipation (Max) :
81W (Tc)
Product Status :
Obsolete
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
180mOhm @ 10A, 8V
Supplier Device Package :
TO-220AB
Technology :
GaNFET (Gallium Nitride)
Vgs (Max) :
±18V
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.6V @ 500µA
Schede tecniche
TPH3206PSB

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