NP16N06QLK-E1-AY

Numero di parte del produttore
NP16N06QLK-E1-AY
Produttore
Renesas Electronics America Inc
Pacchetto/scatola
-
Scheda dati
Scarica
Descrizione
POWER TRANSISTOR AUTOMOTIVE MOS
Azione:
Disponibile

Richiedi un preventivo (RFQ)

* E-mail:
* Nome della parte:
* Quantità (pz):
* Captcha:
loading...
Produttore :
Renesas Electronics America Inc
categoria di prodotto :
Transistor - FET, MOSFET - Array
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
16A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
750pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
175°C
Package / Case :
8-PowerLDFN
Power - Max :
1W (Ta), 25W (Tc)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
39mOhm @ 8A, 10V
Supplier Device Package :
8-HSON (5x5.4)
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Schede tecniche
NP16N06QLK-E1-AY

Prodotti correlati al produttore

Catalogo prodotti correlati

  • Micro Commercial Co
    DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
  • Rohm Semiconductor
    QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO
  • Rohm Semiconductor
    SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT