2N7002KDW_R1_00001

Numero di parte del produttore
2N7002KDW_R1_00001
Produttore
Panjit International Inc.
Pacchetto/scatola
-
Scheda dati
Scarica
Descrizione
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
Azione:
Disponibile

Richiedi un preventivo (RFQ)

* E-mail:
* Nome della parte:
* Quantità (pz):
* Captcha:
loading...
Produttore :
Panjit International Inc.
categoria di prodotto :
Transistor - FET, MOSFET - Array
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C :
115mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss) :
60V
FET Feature :
Standard
FET Type :
2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs :
0.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds :
35pF @ 25V
Mounting Type :
Surface Mount
Operating Temperature :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Package / Case :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Power - Max :
200mW (Ta)
Product Status :
Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3Ohm @ 500mA, 10V
Supplier Device Package :
SOT-363
Vgs(th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Schede tecniche
2N7002KDW_R1_00001

Prodotti correlati al produttore

Catalogo prodotti correlati

  • Micro Commercial Co
    DUAL N-CHANNEL MOSFET,SOT23-6L
  • Nexperia USA Inc.
    MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
  • Toshiba Semiconductor and Storage
    SMALL SIGNAL MOSFET P-CHX2 VDSS-
  • Rohm Semiconductor
    QH8K22 IS LOW ON - RESISTANCE MO
  • Rohm Semiconductor
    SH8KA1 IS A POWER TRANSISTOR WIT