IDB30E60ATMA1
- Numero di parte del produttore
- IDB30E60ATMA1
- Produttore
- Infineon Technologies
- Pacchetto/scatola
- -
- Scheda dati
- Scarica
- Descrizione
- DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263
- Azione:
- Disponibile
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-
- Produttore :
- Infineon Technologies
- categoria di prodotto :
- Diodi - Raddrizzatori - Singoli
- Capacitance @ Vr, F :
- -
- Current - Average Rectified (Io) :
- 52.3A (DC)
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 50 µA @ 600 V
- Diode Type :
- Standard
- Mounting Type :
- Surface Mount
- Operating Temperature - Junction :
- -40°C ~ 175°C
- Package / Case :
- TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
- Product Status :
- Last Time Buy
- Reverse Recovery Time (trr) :
- 126 ns
- Speed :
- Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
- Supplier Device Package :
- PG-TO263-3-2
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 600 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 2 V @ 30 A
- Schede tecniche
- IDB30E60ATMA1