G3S06504B
- Numero di parte del produttore
- G3S06504B
- Produttore
- Global Power Technology-GPT
- Pacchetto/scatola
- -
- Scheda dati
- Scarica
- Descrizione
- SIC SCHOTTKY DIODE 650V 4A 3-PIN
- Azione:
- Disponibile
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-
- Produttore :
- Global Power Technology-GPT
- categoria di prodotto :
- Diodi - Raddrizzatori - Array
- Current - Average Rectified (Io) (per Diode) :
- 9A (DC)
- Current - Reverse Leakage @ Vr :
- 50 µA @ 650 V
- Diode Configuration :
- 1 Pair Common Cathode
- Diode Type :
- Silicon Carbide Schottky
- Mounting Type :
- Through Hole
- Operating Temperature - Junction :
- -55°C ~ 175°C
- Package / Case :
- TO-247-3
- Product Status :
- Active
- Reverse Recovery Time (trr) :
- 0 ns
- Speed :
- No Recovery Time > 500mA (Io)
- Supplier Device Package :
- TO-247AB
- Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) :
- 650 V
- Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If :
- 1.7 V @ 4 A
- Schede tecniche
- G3S06504B